半導體積極擴產 外圍耗材化學材料需求旺盛
發布時間:2019-07-19
半導體廠拼擴產,帶動外圍耗材與化學材料廠亦接單暢旺,如化學機械研磨(CMP)、光阻劑(Slurry)以及外圍耗材包括光罩盒、晶圓盒等等供應商,也紛紛擴產因應未來需求。
化學材料大廠陶氏化學(DowChemical)半導體技術部門副總SamShoemaker指出,根據市場數據顯示,2010年全球半導體營收可望達到3,103億美元,較2009年大幅上揚35.1%。半導體材料市場勢必與整體半導體產業同步攀升,SEMI統計指出,半導體材料市場2010年預期會有17%的成長。陶氏化學預估2010年營收年成長將達30%.
陶氏化學在亞洲共有4座廠房、北美有2座、并有1座位于歐洲,由于客戶需求暢旺,因此陶氏化學也積極擴產因應未來需求。SamShoemaker指出,陶氏化學除擴充位于北美廠房的產能外,更著重投資亞洲,主要由于亞洲區客戶成長快速。 該公司于臺灣竹南亦有1座亞太技術與制造中心,已投資超過7,000萬美元,在2009年7月員工數約160人,不過在2010年已達到250人。其中,CMP研磨墊產能已經備增,2011年也將持續擴增。
SamShoemaker表示,亞太技術與制造中心已著手進行先進技術和新一代CMP應用與客戶合作研發,其中包括32納米、22納米銅金屬與低介電質、淺溝槽隔離(STI)、鎢(W)研磨和膜層間介電質(ILD)。該中心也設立亞太區的CMP技術應用工程和技術服務小組,目前也正在增設新的分析實驗室,用以分析研磨液和研磨墊產品的特征。
另一方面,陶氏化學已經與客戶進行20納米以下的CMP技術和微影技術相關研究。也在為3DIC的矽穿孔(TSV)開發新的化學電鍍方法和尋找新的平整化材料,還有設計新的芯片級封裝底膠材料。開發成果包括,用于浸潤式微影的無底層覆膜負光阻、針對20耐米以下元件的EUV光阻以及針對28納米以下元件的反應式CMP研磨液。
除化學材料外,半導體外圍耗材包括光罩盒、晶圓盒供應商亦受惠于晶圓出貨成長,帶動耗材使用量。半導體設備商中勤董事長陳延方指出,半導體廠為增加設備使用壽命,因此提升對晶圓盒使用量,避免污染影響到機器的使用年限。
為提升產品質量與技術能力,中勤與高性能聚合物制造商Victrex合作,導入Victrex的聚醚醚酮(PEEK)聚合物,生產LCD、LED和太陽能卡匣、6寸與8寸晶舟等產品,提升產品的純度、抗靜電性、耐化學性、耐磨耗性、電性、耐溫性與穩定性。隨著越來越多客戶導入,將帶動中勤營收逐年成長。
化學材料大廠陶氏化學(DowChemical)半導體技術部門副總SamShoemaker指出,根據市場數據顯示,2010年全球半導體營收可望達到3,103億美元,較2009年大幅上揚35.1%。半導體材料市場勢必與整體半導體產業同步攀升,SEMI統計指出,半導體材料市場2010年預期會有17%的成長。陶氏化學預估2010年營收年成長將達30%.
陶氏化學在亞洲共有4座廠房、北美有2座、并有1座位于歐洲,由于客戶需求暢旺,因此陶氏化學也積極擴產因應未來需求。SamShoemaker指出,陶氏化學除擴充位于北美廠房的產能外,更著重投資亞洲,主要由于亞洲區客戶成長快速。 該公司于臺灣竹南亦有1座亞太技術與制造中心,已投資超過7,000萬美元,在2009年7月員工數約160人,不過在2010年已達到250人。其中,CMP研磨墊產能已經備增,2011年也將持續擴增。
SamShoemaker表示,亞太技術與制造中心已著手進行先進技術和新一代CMP應用與客戶合作研發,其中包括32納米、22納米銅金屬與低介電質、淺溝槽隔離(STI)、鎢(W)研磨和膜層間介電質(ILD)。該中心也設立亞太區的CMP技術應用工程和技術服務小組,目前也正在增設新的分析實驗室,用以分析研磨液和研磨墊產品的特征。
另一方面,陶氏化學已經與客戶進行20納米以下的CMP技術和微影技術相關研究。也在為3DIC的矽穿孔(TSV)開發新的化學電鍍方法和尋找新的平整化材料,還有設計新的芯片級封裝底膠材料。開發成果包括,用于浸潤式微影的無底層覆膜負光阻、針對20耐米以下元件的EUV光阻以及針對28納米以下元件的反應式CMP研磨液。
除化學材料外,半導體外圍耗材包括光罩盒、晶圓盒供應商亦受惠于晶圓出貨成長,帶動耗材使用量。半導體設備商中勤董事長陳延方指出,半導體廠為增加設備使用壽命,因此提升對晶圓盒使用量,避免污染影響到機器的使用年限。
為提升產品質量與技術能力,中勤與高性能聚合物制造商Victrex合作,導入Victrex的聚醚醚酮(PEEK)聚合物,生產LCD、LED和太陽能卡匣、6寸與8寸晶舟等產品,提升產品的純度、抗靜電性、耐化學性、耐磨耗性、電性、耐溫性與穩定性。隨著越來越多客戶導入,將帶動中勤營收逐年成長。
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